生产等离子增强化学气相沉积系统|石墨烯生长常用高温设备

（一）产品用途：对于石墨烯生长工艺非常合适。制作硅片可在片状或类似形状样品表面沉积SiOx、SiNx、非晶硅、微晶硅、纳米硅、SiC、类金刚石等多种薄膜，对于离子注入后的贵金属，各种黄金首饰，金刚石等材料的抗弯强度和磨耗也有了较大幅度的提高。并可沉积p型、n型掺杂薄膜。沉积的薄膜具有良好均匀性、致密性、粘附性、绝缘性。适用于集成电路与半导体研发。也可做：于稀土制备、电子照明、晶体退火、生物陶瓷、电子陶瓷、特种合金、磁性材料、精密铸造、金属热处理等行业进行真空烧结、气氛保护烧结、CVD实验、物质成分测量等场合使用。
（二）主要功能和特点：
1.此款设备配有Plasma实现等离子增强，滑轨式设计在操作时可将实验需要的恒定高温直接推到样品处，使样品能得到一个快速的升温速度，同样也可将高温的管式炉直接推离样品处，使样品直接暴露在室温环境下，得到快速的降温速率。
2、利用辉光放电产生等离子体电子激活气相；
3、提高了气相反应的沉积速率、成膜质量；
4、可通过调整射频电源频率来控制沉积速率；
4、能广泛用于：石墨烯、SiOx、SiNx、CNx、TiCxNy等薄膜的生长。
5.常用气体：氮气，氩气，氢气，甲烷四种气体混合使用。比例咨询*。
（三）加热器技术参数 
1.型号：TF1200-60II-60S-SL-LV-4Z-T10   
2.石英管尺寸： 长2000mm   ?Φ60 内径50mm（高温下化学稳定性强，耐腐蚀，热膨胀系数较小，能承受骤冷骤热）
3.加热元件：  进口 掺钼铁铬铝合金电阻丝
4.测温元件：    N型热电偶 
5.加热区长度：   205+205mm ? 
6.恒温区长度：   200mm 
7.工作温度：     ≤1100℃ 
8.控温模式： 模糊PID控制和自整定调节，智能化30段可编程控制，具有**温和断偶报警功能 
9.控温精度： ±1℃ 
10.升温速率： ≤20℃/min 
11.电功率： AC220V/50HZ/3KW 
12.控制面板：10寸液晶触摸屏.
13.预热区：加热区205mm.功率1.5KW
14.整机占地：宽2200MM（左右占地）,深800m（进身）
（四）质量供气系统技术参数 
1.标准量程：50sccm（CH4）、200sccm（H2）、500sccm（Ar、N2）；  
2.压力表测量范围： -0.1Mpa～0.15Mpa 
3.极限压力： 3MPa 
4.阀门：   针阀 316不锈钢 
5.截止阀： Φ6mm 316不锈钢针阀 
6.电功率： AC220V/50HZ/20W 
7.响应时间 ：气特性：1～4 Sec，电特性：10 Sec 
8.准确度： ±1.5% 
9.线性： ±0.5～1.5% 
8.重复精度： ±0.2% 
9.气路接口： Φ6,1/4'' 
（五）真空系统技术参数 ：
?1.工作电电压： 220V±10% ?50~60HZ 
?2.抽气速率 : 4L\s 
3.极限真空:   4X10-2Pa
4.实验真空度： 1.0X10-1Pa 
5.容油量： 1.1L 
6.进气口口径： KF25 
7.排气口口径：KF25 
8.转速： 1450rpm 
（六）射频电源 ：
1.信号频率：13.56 MHz±0.005% 
2.功率输出范围： 500W ?? 
3.较大反射功率： 200W 
4.射频输出接口： 50 Ω, N-type, female 
5.功率稳定度 ：±0.1% 
6.谐波分量： ≤-50dbc 
7.供电电压： 单相交流（187V-253V）?频率50/60HZ 
8.整机效率； >=70% 
9.功率因素； >=90% 
10.冷却方式； 强制风冷 
（七）质量保证：终身保修， 质保期1年，相关耗材除外，如加热元件易耗材等。（如需延长保质期请与销售联系）